壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,自有研發(fā)隊(duì)伍
眾所周知,適宜的原材料配方是獲得要求性能的產(chǎn)品的關(guān)鍵,它直接關(guān)系到工藝流程的擬訂、工藝裝備的選用以及產(chǎn)品性能的提高等。實(shí)驗(yàn)所用原料均為分析純。將ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的ZnO壓敏陶瓷配方比例稱量。稱取的粉料經(jīng)混合,加入粘結(jié)劑(5020膠水)造粒,用壓片機(jī)在8MPa的壓力下壓制成圓片坯體,在箱式電阻爐中分別于1160,1180,1200
℃燒結(jié)成瓷,保溫2h 后隨爐冷卻,表面處理后涂銀電極,之后進(jìn)行各項(xiàng)性能測(cè)試。
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壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,品類豐富
ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu),其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài),氧離子以六方密堆,鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙,鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu),開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響,所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的,正負(fù)離子的配位數(shù)均為4,所以容易引入外部雜質(zhì),ZnO熔點(diǎn)為2248,密度為5.6g/cm3,純凈的ZnO晶體,其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成,禁帶寬度為3.2~3.4eV,因此,室溫下,滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體,而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子,所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。
Eda等認(rèn)為,在本征缺陷中,填隙鋅原子擴(kuò)散快,對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。
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